pnp:podemos observar q hay 2 zonas 1 polarizada en directo y otra en inversa.Los portadores mayoritarios se desplazan acia la zona n.De todos los mayoritarios q se desplaza hay 1 pequeña parte que se desplaza a la base y la gran parte al la derecha(emiso),la coriente de colector es la conrietne q entra x el colector. Se puede relacionar cn la coriente d base y d emiso d la manera con la lck Ic=Icmax+-icmin.CONDESADOretardador,acoplador filtrajes desacoplo fosofroborohuecossi: en el silicio a 0k todos los enlaces stan formados a medida que sube la tempera se rompen los enklaces y un e-librepuede deambular libremente por la red,En ek caso de que se dopa el silicio con un átomo donador,este cede e- al silicio dándole una carga negativa,En el caso de doparlo con 1 átomo aceptor ste se llena de los e- de silicio dejando huecos en la red cirtalina con carga postiva CELDA UNIDAD:es la proporción + simple d la estructura cristalina q alrepetirse mediante la cristalización reproduce todo el cristal.G(E)dE se refiere al nº de estados disponibles comprendidos dentro del margen E y E+dE si es gv(E)es en la banda de Valencia gc::p=(Ev,-8)(1-f(e))g(E)dE:n=(8,Ec)f(E)g(E)dEMASAEFECTIVADEU:masa q parece tener 1 partícula cuando responde a 1 fuerza o interactuando con 1 distribución térmica C.INTEGRADO:varias o muchas unidades = o dsitintas, interconectadas cn 1 fin funcional.Formando 1 circuito dentro de 1 capsula.C.DISCRETO:1 unidad o varias dentro de una capsula DERIVA:es la variación de una magnitud referida a su valor nominal en 1 tiempo determinado.Deriva=((Ax)/Xn))*100 Electrónica:rama q trata del aprovechamiento d cargas electrónicas en difernetes materiales y elementos;COEF.TEMPERATURA coef q determina un valor d 1 componete cn respecto a su temperatua alfatx=(1/x)*(dx/dT) alfavx=(1/x)*(dx/dv) TTOLERANCIA:es el intervalo d valores en q debe encontrase 1 magnitud significativa(dimensión,resistencia,peso)para q se acepte como valida esa pieza.En el caso d la temperatua d 1 componente eléctrico hay q tener en cuenta q diversos factores pueden variar su valor.D ahí q la tolerancia establezca un margen de valores evitando ese incremento o descenso del valro de la resistencia del componente ej ((220-Xant)/220)*100=10 ((Xdesp-220)/Xdesp)*100=10 CORRIENTE INVERSA DE Saturación DE UN DIODO:es la pequeña corriente q se establece al polarizar inversamente el diodo para la formación d pares e- hueco debido a la temperaTENSIONDEFALLO(BRAKDOWNVOLTAJE):ddp al q se produce la ruptura d aislamiento entre 2 conductores aislados cn la consgigueinte destrucción del aislante.CORRIMAXPOLDIRECT:es el valor medio d la corriente x el cual el diodo se quema,dbido a 1 excesiva disipación d potencia,este valor nunca se debe alcanzarTENSIONZENER:el diodo zener cuando sta en polarización inversa no permite el pulso de corriente o deja pasar 1 intesidad muy débil.Al alcanzar la tensión zener se produce 1 aumento de I, d forma q sta tensión en sus xtremos es cte aunque se intente subir o bajar la corriente DIODOSEMI:se forma cuando se produce 1 unión p-n en equilibrio.Se une 1 material d tipo
P cn 1 material de tipo N. Sintension aplicada el flujo neto de carga en una dirección es 0.Los huecoss intentan ir a la zona p y los electrones a la n y viciversa; al aplicar tensión en inverso: al aplicar tensión negativa la zona de deplexion se ensancha por lo que solo podrá salir un pequeña corriente debida a los portadores minoritarios.Tensión aplicada en directo al aplicar tensión positiva la zona de deplexion se reduce se polariza en directa la corrietne atraviesa todo el diodo en el sentido de la flecha y este se comporta como un cortocircuito Tensión UMBRAL:al polarizar el diodo este no emmpieza a conducir hasta que no apliquemos en sus bornes 1 mínima diferencia de potencial.En el caso del germanio es 0,3 y del si 0,7.Por debajo de estas tensiones la corriente es muy pekeña y x encima d ella aumenta considerablemente.A sta tensión se le llama tensión umbralFUNCIONDEFEREMI-DIRAC:probabiladad d q en 1 estado cuántico d energía ste ocupado x 1 electrón f(E)=(1/(1+e^(E-Ef)/kt) Ef=nivel de fermi k=cteboltman t temperatura absoluta nivel de fermi valor energético en el que la función de fermi vale 0,5 SEMICINTRINSECO:semicon casi puro q contiene 1 cantidad insignificante d átomos d impurezas.SEMICONDEXTRINSECO:semiconductor dopado cuyas propied stan controladas x átomos d impurezas añadiadas;DOPANTES:átomos de impurezas q se añaden a 1 conductor cn el propósito d incrementar su concentración d e- o h+ ATOMOSDONADORES:átomos d impurezas añadidas q incrementan la cnatidad de e- conocido como dopante tipo n MATERIAL TIPO N material dopado de tipo donador es semiconductor contiene mas e que h PORTADORES MINORITARIOS portador menos abundante en una muestra semiconductora LEYOHMTERMICA Pd=(Tc-Ta)/Rth + Cth (dTc/dt) restistencia termina[ºC/W] oposición q se encuentra el calor para ser transmitido del interior del componente al ambiente. Cth capacidad térmica[w*s/ºc] capacidad q tiene el componetnte para almacenar calor, la expresión,es decir,el calor acumulado, a partir de cierto tiempo (3Zth) tomara el valor de 0 esto ocurre a través de la cte d tiempo térmica ACTIVOSPASIVO:en fucncion de la acción q los componentes eléctricos ejercen sobre 1 señal podemos distinguir: activos jeercen gancnacia sobre señal (didos transitores) pasicos no ejercen ganacia sobre la señal solo pueden alterarla o filtrarla (condesadores,bobinas resitore)PASTILLAGERMANIO A) pn=(ni)^2 ni=2*10^-13 p=n p=ni B)10 a la 15 donadores n+Nd=p+Nd cojemos nd(conectracion) y a la formula y sacampos n y luego sacamos p con np=ni^2 C) igual pero nd calcula p la formula tocha D) Efp=EV + Kt * ln(Nv/p) si es aceptor Nv si donador NC